派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备办法及碳化硅晶圆衬底”专利发布

  天眼查显现，派恩杰半导体（浙江）有限公司“根据S参数的数据处理办法、设备及电子设备”专利发布，请求发布日为2024年11月15日，请求发布号为CN118969603A。

  本发明触及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅晶圆衬底的制备办法及碳化硅晶圆衬底，其包含：1）预备相同尺度的多晶碳化硅晶圆和单晶碳化硅衬底片；2）将单晶碳化硅衬底片进行氢注入，将氢离子注入到单晶碳化硅衬底片外表下并构成氢注入层；3）将单晶碳化硅衬底片构成氢注入层的一侧与多晶碳化硅晶圆进行键兼并构成晶圆体；4）将过程3）中得到的晶圆体沿氢注入层剥离单晶碳化硅衬底片。本请求因为运用基板是多晶碳化硅晶圆，单晶碳化硅衬底片层只要几微米，大幅度的降低了本钱；一起多晶也不会发生翘曲；此外，多晶电导率要远高于单晶，能不必减薄。

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